Tranzistoare > IGBT > IGBTs, Modules

Cod Varianta Descriere Producător U.M. Stoc Cant. min. Timp livrare (zile) Pret unitar
fara TVA
Cant.
MID150-12A4   Modul IGBT. 1200V, 180A. Capsula: Y3-DCB. Conţine un tranzistor de putere IGBT, prevăzut cu diodă antiparalel + o diodă ultrarapidă cu catodul liber şi anodul conectat la colectorul tranzistorului.   IXYS Corporation Buc 1 7 231,2034 RON
Caracteristici TipT57:Module IGBT | Stil prezentare: | Serie:MID | Capsula:Y3-DCB
Producător:IXYS Corporation | Curent de colector continuu, maxim, IC:180A | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):100ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):500ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:1200V
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls :240A | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th):4,5V | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS: | Curent de drenă continuu, maxim, ID:
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON): | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th): | Putere maximă disipată, Ptot:760W |